时间：2025/9/14 15:15:09
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BUK9608-55B,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机控制等场景。该器件采用常见的D2PAK（TO-263）封装，便于散热和在PCB上的安装。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 55V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 150A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on)): 3.8mΩ（典型值）
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装类型: D2PAK（TO-263）
功率耗散(Pd): 310W
最大漏极功耗(Pd): 310W
输入电容(Ciss): 4000pF（典型值）
开启阈值电压(Vgs(th)): 2V ~ 4V
BUK9608-55B,118 具有多个显著的性能优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统的能效。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计，例如服务器电源、电信设备和电动工具。其采用的TrenchMOS技术可提供卓越的开关性能，降低开关损耗，从而在高频应用中表现优异。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，其封装设计支持良好的散热性能。其高雪崩能量耐受能力也增强了其在严苛工作条件下的鲁棒性，使其适用于工业控制、汽车电子和电机驱动等应用场合。该器件还具有出色的短路耐受能力，为系统设计提供了更高的安全裕量。
BUK9608-55B,118 广泛应用于多种高功率和高效率电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具和工业电机驱动器。其优异的导通和开关性能使其成为服务器电源、电信设备、工业自动化设备以及电动汽车充电系统中的理想选择。由于其封装设计便于散热，因此也适用于需要高功率密度和良好热管理的场合。此外，该器件也可用于功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）中的主开关元件。
Si7461DP, IPPB96N06S4-03, BSC090N04LS G
