时间：2025/9/14 22:07:28
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BUK7Y21-40EX 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：18nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
BUK7Y21-40EX 具备多项优良特性，使其在多种电源管理系统中表现出色。首先，其导通电阻（RDS(on)）仅为30mΩ，在VGS=10V的条件下，可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。其次，该器件的最大漏极电流为10A，支持较高的功率处理能力，适合中高功率应用。此外，漏源电压（VDS）为40V，适用于多种中低压电源转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
这款MOSFET采用了先进的工艺技术，具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在极端温度条件下（-55°C至+175°C）稳定运行，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其栅极电荷（Qg）为18nC，有助于提高开关速度并降低开关损耗，从而支持高频工作模式，提升系统响应速度。
封装方面，BUK7Y21-40EX采用TO-220AB标准封装，具备良好的散热能力和机械强度，便于安装在散热片上以提高热管理效率。该封装形式广泛应用于各类工业设备和汽车电子系统中。
BUK7Y21-40EX 主要应用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。在汽车电子系统中，它可用于车身控制模块、电动助力转向系统、车灯控制电路以及电池管理系统。在工业控制领域，该MOSFET适用于PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器以及各种开关电源设备。此外，BUK7Y21-40EX还可用于DC-DC转换器、负载开关、继电器替代电路以及电机驱动电路等高效率电源管理场景。其高可靠性和良好的热性能使其在恶劣环境条件下也能稳定运行。
IPD90N04S4-03, STP10NK40Z, FDP10NK40
