时间：2025/5/6 21:09:06
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CSD97395Q4M是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用了增强型GaN工艺，具有极低的导通电阻和快速开关性能，广泛应用于高频、高效功率转换场景。其封装形式为QFN-10（2.5mm x 2.5mm），适合紧凑型设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：3nC
反向恢复时间：20ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
CSD97395Q4M是一款高性能的GaN FET，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.5mΩ，在高频应用中能够显著降低导通损耗。
2. 快速开关速度，得益于其低栅极电荷和输出电荷，非常适合硬开关和软开关拓扑。
3. 高热效率和耐热性，能够在高达150°C的工作结温下稳定运行。
4. 内置ESD保护电路，提升了器件在实际应用中的可靠性。
5. 小尺寸QFN-10封装，节省PCB空间并简化布局设计。
6. 支持宽禁带半导体的高频操作特性，适用于新一代电源管理解决方案。
CSD97395Q4M因其卓越的性能而被广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器，尤其是用于服务器、通信设备和工业自动化中的高效功率模块。
3. 图形处理器（GPU）和中央处理器（CPU）供电系统。
4. 消费类电子产品中的快充适配器。
5. 电机驱动和其他需要高频、高效功率切换的应用场景。
CSD97382Q4, CSD97383Q4M
