时间：2025/9/14 12:18:49
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BUK9606-55B,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高密度的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池管理系统等。该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适合高功率应用。BUK9606-55B,118 的工作温度范围广泛，通常在 -55°C 至 +175°C 之间，适用于工业和汽车级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：125W
BUK9606-55B,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs = 10V 时仅 5.5mΩ，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该 MOSFET 具有高达 100A 的连续漏极电流能力，适用于高功率密度的设计。
其采用的先进沟槽技术不仅降低了 Rds(on)，还优化了开关性能，使得在高频开关应用中表现优异。同时，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高开关速度。
在热性能方面，BUK9606-55B,118 采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力，适用于高功率应用场景。该封装形式也便于手工焊接和安装，适合多种制造流程。
另外，该 MOSFET 支持宽范围的工作温度（-55°C 至 +175°C），符合工业级和汽车级应用的严格要求，确保在极端环境下的稳定运行。其栅源电压范围为 ±20V，提供了更高的栅极驱动灵活性和保护能力。
BUK9606-55B,118 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中，该器件凭借其低导通电阻和优异的开关性能，可显著提升转换效率并降低系统功耗，适用于服务器电源、通信设备电源和工业控制电源等场景。
在负载开关和电源管理应用中，BUK9606-55B,118 可用于高效控制电源的通断，适用于电池管理系统、电动工具、UPS（不间断电源）以及电机驱动系统。
由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、动力转向控制模块等，满足汽车级应用的可靠性要求。
此外，BUK9606-55B,118 也可用于功率放大器、逆变器、太阳能逆变器和储能系统等高功率应用领域，提供稳定、高效的功率控制。
IRF1405, STP100N6F6, IPW90R03P4, BUK9508-55A
