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BUK954R4-80E 发布时间 时间:2025/7/3 23:28:07 查看 阅读:8

BUK954R4-80E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。
  该MOSFET的最大耐压为80V,适合在中低压应用环境中工作。其设计优化了栅极电荷,有助于提高系统的效率并降低开关损耗。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏电流:47A
  导通电阻:3.6mΩ
  栅极电荷:86nC
  总电容:1480pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

BUK954R4-80E 具有非常低的导通电阻,这使其非常适合用于高效能功率转换应用。同时,该器件具备出色的热稳定性,能够承受较高的结温,确保长时间稳定运行。
  此外,其快速开关性能减少了开关过程中的能量损失,并且由于采用了先进的制造工艺,使得该器件在高频应用中表现出色。
  BUK954R4-80E 的短路耐受能力较强,在异常情况下可以提供一定的保护作用。同时,它也支持较低的栅极驱动电压,简化了驱动电路的设计要求。

应用

这款MOSFET常用于各种需要高效功率转换的应用场景,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动
  - 工业控制
  - 电动工具
  - 太阳能逆变器
  - 电动车充电系统
  由于其强大的电流承载能力和低损耗特性,BUK954R4-80E 成为了许多大功率应用的理想选择。

替代型号

IRLB8749PBF, FDP55N08L, BUK954R6-80E

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