BUK9535-55A是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,广泛适用于各种高效能电源转换应用。
该MOSFET的封装形式为DPAK(TO-263),使其能够承受较高的电流负载并具备良好的散热能力。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:40A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:70nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至175℃
BUK9535-55A的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小巧的DPAK封装,便于安装且具备良好的散热性能。
5. 可靠的电气性能和宽广的工作温度范围,确保其在多种环境中的稳定运行。
这些特性使得BUK9535-55A非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源以及负载切换等应用。
BUK9535-55A被广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中作为功率开关。
2. 各种工业控制和汽车电子系统的电机驱动。
3. DC-DC转换器和逆变器中的功率级元件。
4. 负载切换和保护电路。
由于其优异的性能和可靠性,这款MOSFET在需要高效率和高性能的应用场景中非常受欢迎。
BUK9537-55A
IRLR7843PBF
FDP15U50AB
IXFH40N50T
STP40NF06L