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BUK9535-55A 发布时间 时间:2025/7/1 7:08:59 查看 阅读:7

BUK9535-55A是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,广泛适用于各种高效能电源转换应用。
  该MOSFET的封装形式为DPAK(TO-263),使其能够承受较高的电流负载并具备良好的散热能力。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

BUK9535-55A的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小巧的DPAK封装,便于安装且具备良好的散热性能。
  5. 可靠的电气性能和宽广的工作温度范围,确保其在多种环境中的稳定运行。
  这些特性使得BUK9535-55A非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源以及负载切换等应用。

应用

BUK9535-55A被广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中作为功率开关。
  2. 各种工业控制和汽车电子系统的电机驱动。
  3. DC-DC转换器和逆变器中的功率级元件。
  4. 负载切换和保护电路。
  由于其优异的性能和可靠性,这款MOSFET在需要高效率和高性能的应用场景中非常受欢迎。

替代型号

BUK9537-55A
  IRLR7843PBF
  FDP15U50AB
  IXFH40N50T
  STP40NF06L

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BUK9535-55A参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 10 V
  • 漏极连续电流34 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.032 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间73 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散85 W
  • 上升时间36 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间96 ns
  • 零件号别名BUK9535-55A,127