时间：2025/7/12 18:30:51
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BUK9529-100B 是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供高效率和低导通电阻的特性，广泛适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），具有良好的散热性能。
该器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了系统整体效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
栅源电压：±20V
总功耗：200W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263-3
BUK9529-100B 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（7mΩ，典型值），可有效降低传导损耗。
2. 优秀的开关性能，栅极电荷小，适合高频开关应用。
3. 高雪崩耐量能力，增强了在异常条件下的可靠性。
4. 工作温度范围宽广（-55℃至175℃），适应多种恶劣环境。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
6. 封装具备较大散热面积，有助于提高散热效率。
BUK9529-100B 的典型应用包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换。
5. 各类工业设备中的功率调节与保护。
6. 汽车电子领域的电源管理与驱动控制。
BUK9527-100B, BUK9530-100B, IRFZ44N
