NDC7002N NL 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)集成电路,采用SOT-23封装。该器件集成了两个独立的MOSFET晶体管,适用于需要高效率、低功耗和小尺寸封装的应用场合。该器件广泛应用于便携式电子设备、电源管理、负载开关、逻辑驱动器以及小型电机控制等领域。NDC7002N NL 的设计使其在低电压和中等电流条件下表现出色,具备良好的导通电阻和开关性能。
类型:MOSFET(双N沟道增强型)
漏源电压(VDS):20V
漏极电流(ID):100mA(每个通道)
栅极阈值电压(VGS(th)):0.4V ~ 1.5V
导通电阻(RDS(on)):5.0Ω @ VGS=4.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-23
功率耗散(PD):300mW
NDC7002N NL 是一款高效的双N沟道MOSFET,具备多项关键特性,适用于多种电子应用。首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下的低功耗,提高了整体系统的能效。其次,其低栅极阈值电压(VGS(th))使得该器件能够在较低的控制电压下正常工作,适合用于低电压控制系统,如3.3V或5V的数字电路。此外,NDC7002N NL 采用SOT-23封装,具有体积小巧、重量轻和易于集成的特点,非常适合空间受限的设计,如移动设备、穿戴式电子产品和便携式仪器。该器件的高工作温度范围(-55°C至150°C)保证了其在极端环境下的稳定运行,增强了其可靠性和耐用性。另外,NDC7002N NL 的双MOSFET结构允许用户在同一封装中实现多个独立的开关功能,简化了电路设计,减少了外部元件的数量,降低了整体成本。由于其优异的开关特性,NDC7002N NL 也适用于高速开关应用,如PWM控制、电源管理以及负载切换。此外,该器件具备良好的热稳定性和过载保护能力,有助于提高系统的安全性和稳定性。综上所述,NDC7002N NL 是一款性能优异、可靠性高且适用于多种应用场景的MOSFET器件。
NDC7002N NL 广泛应用于多种电子系统和设备中。首先,在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该器件用于电源管理和负载开关,能够有效降低功耗并延长电池寿命。其次,在工业控制系统中,NDC7002N NL 可用于小型电机驱动、继电器替代和逻辑电路控制,实现高效、可靠的开关操作。此外,该器件还适用于LED照明驱动电路,作为恒流控制或开关元件,提供稳定的光输出。在通信设备中,如无线路由器、蓝牙模块和Wi-Fi模块,NDC7002N NL 被用于电源管理电路,以优化功耗和提高系统效率。同时,该器件也可用于传感器电路、数据采集系统和低功耗微控制器外围电路,提供高效的开关控制功能。在汽车电子领域,NDC7002N NL 可用于车载信息娱乐系统、远程控制模块和低功耗传感器接口,确保稳定可靠的运行。由于其优异的低电压操作性能,该器件也常用于嵌入式系统和物联网(IoT)设备中的电源管理单元,以实现节能和高效运行。
NDS7002A, 2N7002, BSS138, FDN302P, IRLML2402