时间：2025/9/14 12:36:39
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BUK9237-55A,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电源开关、负载管理及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：8.7mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
BUK9237-55A,118具有多项显著特性，首先是其极低的导通电阻，典型值为8.7mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用高性能的沟槽MOSFET结构，使得在55V的漏源电压下仍能保持稳定的导通性能。
其次，该MOSFET具备高电流承载能力，连续漏极电流可达75A，适用于高功率应用。其高功率耗散能力为160W，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，该器件的封装形式为TO-220，这种封装结构具有良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热器上，适用于多种工业和汽车电子应用。
BUK9237-55A,118的工作温度范围为-55°C至+175°C，具有良好的温度稳定性，适用于严苛的工作环境。同时，其栅源电压为±20V，允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作，增强了设计的灵活性。
该MOSFET还具备快速开关特性，降低开关损耗，提高系统的整体效率。由于其优异的性能，BUK9237-55A,118广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备。
BUK9237-55A,118适用于多种电源管理和功率控制场景。首先，它被广泛应用于DC-DC转换器中，作为高侧或低侧开关，实现高效的电压转换。在电源管理系统中，该MOSFET可用于负载切换、电源分配以及电池充电控制。
此外，该器件也常用于电机控制系统，例如在电动工具、电动车或工业电机驱动器中作为功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。
在汽车电子领域，BUK9237-55A,118可用于车身控制模块、车载充电系统以及LED照明驱动电路，其高可靠性和宽温度范围确保在复杂车载环境中稳定运行。
工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和电源模块，提高系统的整体效率和可靠性。
IPD90N06S4-03, STD90N06M5-6F7AG, FDP90N06S4
