BUK9222-55A,118 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性。该MOSFET广泛用于各种电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关应用。其封装形式为TO-220AB,适用于高功率密度和高效率设计。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):55V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220AB
BUK9222-55A,118 具有极低的导通电阻,使其在高电流应用中具备优异的效率表现。其Rds(on)最大值仅为4.5mΩ,在VGS=10V时能够显著降低导通损耗,提高系统整体效率。
该MOSFET采用了NXP先进的Trench沟槽技术,确保了在高压下的稳定性和可靠性,同时具备良好的热性能,能够在高功耗条件下保持稳定运行。
其高电流承载能力(100A)使其适用于高功率负载的开关控制,例如电机驱动器、电池管理系统和电源转换器。
此外,该器件具备较高的栅极电压容限(±20V),增强了在复杂工作环境下的抗干扰能力,提高了器件的耐用性和稳定性。
由于其良好的热设计和封装结构,BUK9222-55A,118具备出色的散热性能,能够在高环境温度下可靠运行,适用于工业级和汽车电子应用。
BUK9222-55A,118 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
电源管理模块,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关;
工业自动化设备中的电机控制电路和功率开关;
电池管理系统(BMS)和储能设备的充放电控制;
汽车电子系统,如电动助力转向、车载充电器和电机驱动器;
高功率LED照明驱动电路;
UPS(不间断电源)和逆变器系统。
BUK9222-55A,118的替代型号包括BUK9K55-55A、IRF1405、SiS436ADN、FDMS8878、IPB015N06N G、SPM9222-55A