时间：2025/9/14 10:52:50
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BUK7Y53-100B,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于增强型N沟道MOSFET，适用于高效率功率开关应用。该器件采用高性能的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，非常适合用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关和马达控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25°C时）
脉冲漏极电流(Idm)：320A
导通电阻(Rds(on))：最大5.3mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7Y53-100B,115 的主要特性包括其先进的TrenchMOS技术，这项技术能够提供更低的导通电阻，从而减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够在高应力条件下保持稳定运行。器件的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，同时保持良好的抗干扰能力。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠的运行。其低Rds(on)特性使得在高电流应用中也能保持较低的功耗，从而减少散热设计的复杂性。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
封装方面，TO-220AB封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于多种PCB安装方式。该器件还符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
BUK7Y53-100B,115 主要应用于高功率密度的电源系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。此外，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等。
由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET也广泛用于服务器电源、电信设备和UPS（不间断电源）系统中，用于提高能源效率和系统可靠性。在电机控制方面，该器件能够提供快速的开关响应和高效的功率传输，适用于变频器和伺服驱动器等应用场景。
该器件的高雪崩能量耐受能力和热稳定性也使其成为各种高要求工业设备中的首选功率开关器件。
STP80NF10, IRF1405, FDP80N10, SiR142DP
