RF2312PCK-50 OHM 时间：2025/8/15 12:28:07 阅读：15

RF2312PCK-50 OHM 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频（RF）功率晶体管，采用 GaAs HBT（异质结双极晶体管）技术制造。这款晶体管专为高性能射频功率放大应用设计，广泛用于无线通信基础设施、基站、工业设备和测试设备中。RF2312PCK-50 OHM 具有高增益、高效率和优异的热稳定性，能够在高功率条件下长时间稳定运行，是一款适用于多种高频应用的优质功率放大器。

参数

器件类型：GaAs HBT 射频功率晶体管
　　频率范围：850 MHz - 1 GHz
　　输出功率：典型 20 W（Pout）
　　增益：20 dB 典型值
　　效率：60% 以上
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作电压：+28V 典型
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF2312PCK-50 OHM 具备多项出色的电气和热性能，适用于高要求的射频功率放大场景。其采用 GaAs HBT 技术，在高频下依然保持良好的线性和效率，适用于多载波通信系统。晶体管在 850 MHz 至 1 GHz 的频率范围内提供稳定的 20W 输出功率，增益达到 20dB，效率超过 60%，有效降低功耗并减少散热需求。此外，该器件的 50Ω 输入/输出阻抗匹配简化了射频电路的设计，降低了外部匹配网络的复杂度。
　　该晶体管采用表面贴装封装，便于自动化装配，适用于高密度 PCB 设计。其工作电压为 +28V，适合用于基站和工业设备中的高功率放大器模块。热稳定性优异，能够在较宽的温度范围内（-40°C 至 +85°C）稳定工作，确保在严苛环境下依然保持高性能。
　　RF2312PCK-50 OHM 还具备良好的抗失真能力，适用于对信号保真度要求较高的通信系统。器件内部设计优化，减少了寄生效应，从而提高了高频下的稳定性和可靠性。其高耐用性和出色的性能使其成为无线通信、测试设备、军事通信和工业控制系统中理想的射频功率放大器选择。