时间：2025/9/14 22:12:25
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BUK7Y3R0-40HX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热性能，适用于需要高效功率管理的应用。BUK7Y3R0-40HX采用小型化封装（如LFPAK56），适合空间受限的设计。该MOSFET为N沟道增强型，支持高电流负载和高频操作，广泛用于汽车电子、工业控制和电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏源电压（VDS）：40V
导通电阻（RDS(on)）：3mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：135W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
BUK7Y3R0-40HX具有极低的导通电阻（RDS(on)）特性，使其在高电流应用中实现最小的功率损耗，提高系统效率。
该器件采用TrenchMOS技术，优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，适用于高频开关电路。
其LFPAK56封装结构提供了优异的热传导性能，有助于降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。
此外，该MOSFET具备高电流承载能力和强抗雪崩能力，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
BUK7Y3R0-40HX还具备快速开关特性，减少开关损耗，并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽泛，支持与多种控制器和驱动器兼容，简化了电路设计。
在保护方面，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，并具备较高的dv/dt稳定性，防止误触发和损坏。
BUK7Y3R0-40HX广泛应用于需要高效功率转换和管理的系统中，包括汽车电子中的电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）等。
在工业领域，该器件常用于直流电机驱动、伺服电机控制、电源模块、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。
由于其高效率和低导通电阻，该MOSFET也适合用于服务器电源、电信设备、储能系统以及可再生能源转换装置。
此外，BUK7Y3R0-40HX还可用于高性能开关电源（SMPS）设计，提供稳定、高效的功率输出。
在电机控制应用中，它能够有效降低功率损耗，提升系统响应速度和运行稳定性。
SiR178DP-T1-GE3, IPB017N04N3 G, BSC0830NS
