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BUK7Y3R0-40HX 发布时间 时间:2025/9/14 22:12:25 查看 阅读:12

BUK7Y3R0-40HX是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优异的热性能,适用于需要高效功率管理的应用。BUK7Y3R0-40HX采用小型化封装(如LFPAK56),适合空间受限的设计。该MOSFET为N沟道增强型,支持高电流负载和高频操作,广泛用于汽车电子、工业控制和电源管理系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):160A
  最大漏源电压(VDS):40V
  导通电阻(RDS(on)):3mΩ @ VGS=10V
  栅极电压(VGS):±20V
  最大功耗(PD):135W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:LFPAK56(Power-SO8)

特性

BUK7Y3R0-40HX具有极低的导通电阻(RDS(on))特性,使其在高电流应用中实现最小的功率损耗,提高系统效率。
  该器件采用TrenchMOS技术,优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡,适用于高频开关电路。
  其LFPAK56封装结构提供了优异的热传导性能,有助于降低工作温度,提高器件的可靠性和寿命。
  此外,该MOSFET具备高电流承载能力和强抗雪崩能力,适用于严苛的工业和汽车应用环境。
  BUK7Y3R0-40HX还具备快速开关特性,减少开关损耗,并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽泛,支持与多种控制器和驱动器兼容,简化了电路设计。
  在保护方面,该MOSFET具备良好的短路耐受能力,并具备较高的dv/dt稳定性,防止误触发和损坏。

应用

BUK7Y3R0-40HX广泛应用于需要高效功率转换和管理的系统中,包括汽车电子中的电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)等。
  在工业领域,该器件常用于直流电机驱动、伺服电机控制、电源模块、DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)系统。
  由于其高效率和低导通电阻,该MOSFET也适合用于服务器电源、电信设备、储能系统以及可再生能源转换装置。
  此外,BUK7Y3R0-40HX还可用于高性能开关电源(SMPS)设计,提供稳定、高效的功率输出。
  在电机控制应用中,它能够有效降低功率损耗,提升系统响应速度和运行稳定性。

替代型号

SiR178DP-T1-GE3, IPB017N04N3 G, BSC0830NS

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BUK7Y3R0-40HX参数

  • 现有数量4,949现货
  • 价格1 : ¥16.30000剪切带(CT)1,500 : ¥8.02961卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)59 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5449 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)172W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669