BUK7Y3R0-40HX是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优异的热性能,适用于需要高效功率管理的应用。BUK7Y3R0-40HX采用小型化封装(如LFPAK56),适合空间受限的设计。该MOSFET为N沟道增强型,支持高电流负载和高频操作,广泛用于汽车电子、工业控制和电源管理系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):160A
最大漏源电压(VDS):40V
导通电阻(RDS(on)):3mΩ @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±20V
最大功耗(PD):135W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:LFPAK56(Power-SO8)
BUK7Y3R0-40HX具有极低的导通电阻(RDS(on))特性,使其在高电流应用中实现最小的功率损耗,提高系统效率。
该器件采用TrenchMOS技术,优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡,适用于高频开关电路。
其LFPAK56封装结构提供了优异的热传导性能,有助于降低工作温度,提高器件的可靠性和寿命。
此外,该MOSFET具备高电流承载能力和强抗雪崩能力,适用于严苛的工业和汽车应用环境。
BUK7Y3R0-40HX还具备快速开关特性,减少开关损耗,并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽泛,支持与多种控制器和驱动器兼容,简化了电路设计。
在保护方面,该MOSFET具备良好的短路耐受能力,并具备较高的dv/dt稳定性,防止误触发和损坏。
BUK7Y3R0-40HX广泛应用于需要高效功率转换和管理的系统中,包括汽车电子中的电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)等。
在工业领域,该器件常用于直流电机驱动、伺服电机控制、电源模块、DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)系统。
由于其高效率和低导通电阻,该MOSFET也适合用于服务器电源、电信设备、储能系统以及可再生能源转换装置。
此外,BUK7Y3R0-40HX还可用于高性能开关电源(SMPS)设计,提供稳定、高效的功率输出。
在电机控制应用中,它能够有效降低功率损耗,提升系统响应速度和运行稳定性。
SiR178DP-T1-GE3, IPB017N04N3 G, BSC0830NS