您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BUK7Y25-80EX

BUK7Y25-80EX 发布时间 时间:2025/9/14 19:22:49 查看 阅读:6

BUK7Y25-80EX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率开关应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用领域。BUK7Y25-80EX采用高性能TrenchMOS技术,确保了在高电流条件下的稳定工作性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):80V
  连续漏极电流(ID):25A
  RDS(on)(最大值):17mΩ @ VGS=10V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  最大功耗(Ptot):80W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220AB
  技术:TrenchMOS

特性

BUK7Y25-80EX MOSFET具备多项优异特性,使其在功率转换和控制应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在25A的连续漏极电流能力下,能够支持高功率密度设计,适用于紧凑型电源模块。
  其次,该器件采用TrenchMOS技术,提供更高的沟道密度和更低的开关损耗,使其适用于高频开关应用。同时,其80V的漏极-源极电压额定值可在多种电源条件下提供足够的安全裕量,适用于如汽车电子、工业电源及电池管理系统等对可靠性要求较高的场景。
  此外,BUK7Y25-80EX具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在较高环境温度下稳定运行。其TO-220AB封装便于安装和散热,适用于标准PCB布局和散热片安装。该器件还具备快速开关特性,减少开关过程中的能量损耗,从而提升整体能效。
  最后,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(最高±20V),兼容多种驱动电路设计,提高了设计灵活性。由于其高可靠性和优异的电气性能,BUK7Y25-80EX广泛用于现代功率电子系统中。

应用

BUK7Y25-80EX MOSFET适用于多种功率电子系统,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电源管理模块、电池充电器以及工业自动化设备中的开关电源部分。此外,该器件也可用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等对高可靠性和高效能有严格要求的应用场景。

替代型号

BUK7Y25-80E, BUK7Y25-80B, BUK7Y26-80E, IRF1405, SiR178DP

BUK7Y25-80EX推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BUK7Y25-80EX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥5.72000剪切带(CT)1,500 : ¥3.72755卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)39A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)95W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669