IRL3402STRR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
该器件具有低导通电阻(Rds(on)),能够在高频应用中实现高效的能量转换和低功耗运行。同时,其栅极驱动电压范围与大多数数字逻辑电路兼容,便于在各种电子系统中使用。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):17A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):17nC
工作结温范围(Tj):-55℃至+150℃
IRL3402STRR的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升效率。
2. 支持较高的连续漏极电流,适合大功率应用环境。
3. 高速开关性能,得益于较小的栅极电荷。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
5. 宽泛的工作温度范围,使其适应于恶劣环境下的工作需求。
6. 逻辑电平兼容的低栅极驱动电压,简化了电路设计并降低了对驱动电路的要求。
该器件适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. 各类电机驱动电路,如直流无刷电机或步进电机。
3. DC-DC转换器的核心开关元件。
4. 负载开关或保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元(PMU)。
IRL3402PBF, IRL3403STRR