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IRL3402STRR 发布时间 时间:2025/7/1 21:08:16 查看 阅读:7

IRL3402STRR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
  该器件具有低导通电阻(Rds(on)),能够在高频应用中实现高效的能量转换和低功耗运行。同时,其栅极驱动电压范围与大多数数字逻辑电路兼容,便于在各种电子系统中使用。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):17A
  导通电阻(Rds(on)):9mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):17nC
  工作结温范围(Tj):-55℃至+150℃

特性

IRL3402STRR的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升效率。
  2. 支持较高的连续漏极电流,适合大功率应用环境。
  3. 高速开关性能,得益于较小的栅极电荷。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  5. 宽泛的工作温度范围,使其适应于恶劣环境下的工作需求。
  6. 逻辑电平兼容的低栅极驱动电压,简化了电路设计并降低了对驱动电路的要求。

应用

该器件适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. 各类电机驱动电路,如直流无刷电机或步进电机。
  3. DC-DC转换器的核心开关元件。
  4. 负载开关或保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
  6. 消费类电子产品中的电源管理单元(PMU)。

替代型号

IRL3402PBF, IRL3403STRR

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IRL3402STRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 51A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs78nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3300pF @ 15V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)