时间：2025/12/28 14:25:49
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BUK7Y25-60EX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于广泛的功率转换系统。BUK7Y25-60EX 采用先进的 TrenchMOS 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能和高可靠性。其封装形式为 TO-220AB，适合用于散热要求较高的场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）：25A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（最大）
栅极电荷（Qg）：72nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7Y25-60EX 具备多项优异特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的 60V 漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换场景。25A 的最大漏极电流能力确保其在高负载条件下仍能稳定运行。
该 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 工艺技术，不仅提升了器件的开关性能，还增强了其在高频操作下的稳定性。此外，其 TO-220AB 封装具有良好的热管理能力，适合高功率密度设计，同时便于安装散热片以增强散热效果。
BUK7Y25-60EX 还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。其高栅极电荷（Qg）虽然略高，但仍在可控范围内，适合用于中高频开关应用。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。
BUK7Y25-60EX 广泛应用于多种功率电子系统中，包括电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及汽车电子系统等。在电源管理领域，该器件适用于同步整流、高边/低边开关以及电源分配系统。在汽车应用中，它可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及各种高功率负载控制电路。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，BUK7Y25-60EX 在高效能、高密度电源设计中表现尤为出色。它也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、光伏逆变器和储能系统等应用。此外，在电动工具、无人机和机器人控制系统中，该 MOSFET 可作为高效的功率开关元件，提供稳定可靠的性能。
IPD90N06S4-03, STP25NM60ND, FDP2532N60FM
