时间：2025/9/15 0:23:46
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BUK7Y1R7-40HX是一款由NXP Semiconductors生产的功率MOSFET器件，属于高性能的TrenchMOS技术产品系列。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的应用，例如汽车电子、工业电源和电机控制等。BUK7Y1R7-40HX采用了先进的沟槽式MOSFET结构，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高压和高电流条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：40V
漏极-源极导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：100A（连续）
封装类型：PowerSO-10
BUK7Y1R7-40HX具有多项先进特性，包括极低的导通电阻，这使得器件在工作时能够减少能量损耗并提高整体效率。其沟槽式结构设计不仅优化了电气性能，还增强了器件的可靠性。
此外，该器件的封装形式PowerSO-10提供了良好的散热能力，能够有效管理高功率应用中的热量积累。这种封装还支持紧凑的设计，非常适合空间受限的应用场景。
在热性能方面，BUK7Y1R7-40HX能够在较高的环境温度下保持稳定运行，其热阻（Rth）较低，确保了器件在高负载条件下的耐久性。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护，从而延长使用寿命。这种特性使其适用于需要高可靠性和稳定性的应用，例如汽车中的电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等。
此外，BUK7Y1R7-40HX的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V栅极驱动电路，因此与多种控制器兼容性良好。
BUK7Y1R7-40HX主要应用于汽车电子系统，例如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）和直流-直流转换器等。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件也广泛用于工业自动化设备、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统中。此外，在新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统中，BUK7Y1R7-40HX也发挥着重要作用。
BUK7Y1R7-40HXM, BUK7Y1R7-40E, BUK7Y1R7-40H
