时间：2025/9/14 9:32:00
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BUK7Y19-100EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的 N 通道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率、高频率的开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。BUK7Y19-100EX 采用了先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N 通道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：19A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-223
BUK7Y19-100EX 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为 55mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流处理能力（最大漏极电流为 19A）使其适用于高功率密度的设计。此外，该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg 为 35nC），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
其封装形式为 TO-223，具备良好的热性能，便于散热。该器件的栅源电压容限为 ±20V，提供了更高的设计灵活性和可靠性。此外，BUK7Y19-100EX 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表明其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业和汽车电子等高要求应用。
该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量耐受能力，有助于提高器件在突发负载条件下的可靠性。其 Trench 技术还提供了优异的开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，从而减少了系统的热管理需求。
BUK7Y19-100EX 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能、高可靠性和紧凑设计的场合。例如，该器件常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统中。其低导通电阻和高电流能力使其成为电源管理模块的理想选择，尤其是在高效率要求的服务器电源、电信设备和工业自动化系统中。
此外，BUK7Y19-100EX 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，该 MOSFET 在高温环境下依然能够保持稳定运行，满足汽车和工业领域的严苛标准。
在电机控制应用中，BUK7Y19-100EX 可用于构建 H 桥电路，实现电机的双向控制。其快速开关能力和低导通损耗有助于提升电机驱动效率，延长电池寿命。在负载开关和电源管理 IC 配套应用中，该器件也能够提供可靠的开关控制和电流承载能力。
IPD90N10S3-03, FDD16AN10A, STP16NF10
