容量：64K x 4位
　　组织结构：256K位（64K x 4）
　　访问时间：3.5 ns（最大）
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　封装类型：44引脚 TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　读写操作：异步操作，带有片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号
　　功耗：典型待机电流为1mA，典型工作电流为150mA
　　数据保持电压：2.0V 至 3.6V
　　输出驱动能力：CMOS兼容

CXK5464AP-35 SRAM芯片具有多个关键特性，使其适用于高性能嵌入式系统和工业应用。首先，它的访问时间仅为3.5 ns，这意味着它可以支持非常高速的数据读写操作，适合用于缓存或需要快速响应的控制系统。该芯片的低功耗设计使其在待机模式下仅消耗极小的电流，有助于延长设备的使用寿命并降低整体功耗。
　　该芯片采用CMOS技术制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适合在恶劣工业环境中使用。其宽温度范围（-40°C 至 +85°C）确保了在极端环境下的可靠运行。此外，CXK5464AP-35支持异步操作，允许灵活的接口设计，可以轻松集成到各种系统架构中。
　　另一个重要特性是该芯片的电源电压范围较宽，可以在3.0V至3.6V之间正常工作，这使其兼容多种电源管理系统。即使在电源电压波动的情况下，也能确保数据的完整性。此外，芯片还具备数据保持模式，即使在较低的电源电压（如2.0V）下也能保持存储的数据，从而在系统断电或休眠时防止数据丢失。

CXK5464AP-35适用于需要高速存储和低功耗的多种工业和通信应用。例如，在网络设备中，它可以作为高速缓存来存储临时数据包或路由信息，以提高数据处理效率。在嵌入式系统中，该芯片可以作为主SRAM或辅助存储器，用于存储关键数据或程序代码。此外，在工业控制系统中，它可被用作高速缓冲存储器，以支持快速的实时数据采集和处理。
　　在通信设备中，CXK5464AP-35可用于高速数据缓冲，支持快速的数据交换和传输。在测试和测量设备中，由于其高速存取能力和稳定性，可以用于存储测量数据或中间计算结果。此外，该芯片还可用于医疗设备、航空航天电子系统和汽车控制系统等对可靠性和性能有较高要求的应用场景。

CYK5464AP-35、CYK5464AP-55、CYK5464AP-70、AS7C34098A-3.5TC、IDT71V416SA35Pf