BUK7Y14-80E 时间：2025/9/14 23:47:43 阅读：20

BUK7Y14-80E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件基于先进的Trench技术，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。BUK7Y14-80E采用标准的TO-220封装，便于散热并适用于各种工业应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为40mΩ（最大值为55mΩ）
　　功耗(Ptot)：80W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

特性

BUK7Y14-80E具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力，支持高达14A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，BUK7Y14-80E具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，使其适用于高频开关电路。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，提高了设计灵活性。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要良好热管理的应用场景。
　　在可靠性方面，BUK7Y14-80E采用了NXP的先进制造工艺，具有优异的耐用性和稳定性。其栅极氧化层经过优化设计，能够承受高电压应力，减少击穿风险。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在高能量瞬态条件下保持稳定运行。

应用

BUK7Y14-80E广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合高效率电源转换器和电机控制系统。常见的应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和电源管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。
　　在消费类电子产品中，BUK7Y14-80E可用于高性能电源适配器、LED驱动电路和智能家电的电源控制部分。在工业领域，该MOSFET适用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服电机驱动器和UPS（不间断电源）系统。此外，该器件也常用于太阳能逆变器和电动车充电系统的功率控制模块。
　　由于其良好的热管理和开关性能，BUK7Y14-80E也适用于需要频繁开关操作的应用，例如PWM（脉宽调制）控制电路和高频电源转换器。在需要高可靠性和长寿命的工业设备中，该MOSFET也能够提供稳定的性能。