时间：2025/9/16 15:00:17
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BUK7Y12-40EX 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流开关应用。这款MOSFET专为高效率和低导通电阻设计，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：12A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：10V
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7Y12-40EX 具备极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其高电流处理能力使其非常适合用于需要高功率密度的设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，从而提高了整体系统的可靠性。
该MOSFET采用了先进的沟槽技术，确保了在高频率开关操作中的稳定性和快速响应。同时，其封装形式（TO-220AB）便于安装和散热管理，适合在紧凑型设计中使用。器件内部的硅芯片也经过优化设计，以提供良好的开关性能和抗短路能力。
BUK7Y12-40EX 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功耗，并加快开关速度，适用于高频率工作的电源转换器和电机控制应用。
BUK7Y12-40EX 广泛应用于汽车电子系统（如电动助力转向、车窗升降控制、电动泵等）、工业自动化设备、直流电机控制、电源转换器（如DC-DC转换器）、电池管理系统和高电流负载开关等场景。其优异的性能和高可靠性使其成为现代功率电子设计中的重要组件。
BUK7K12-40E, IPD12N40C5ATMA1, FDD8876
