IKW75N60TCR是英飞凌(Infineon)生产的一款高性能功率MOSFET晶体管,广泛用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。该器件属于N沟道MOSFET类型,适用于开关电源、电机控制、逆变器和工业自动化系统等应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):75A
漏-源电压(VDS):600V
栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.075Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
IKW75N60TCR具备低导通电阻,从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术,提供更高的热稳定性和更强的短路承受能力,确保在严苛工况下的可靠性。
此外,它具有快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频操作场景。其坚固的封装结构也提升了散热性能,确保在高温环境下稳定运行。
内置的体二极管能够提供反向电流保护,增强了器件在电感负载应用中的适应性。最后,该器件符合RoHS标准,支持环保设计,适用于各种工业和电力电子设备。
IKW75N60TCR常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS系统以及工业自动化和控制系统等电力电子应用中。其高可靠性和高效能特性使其成为高要求应用的理想选择。
IKW75N60C