时间：2025/9/14 17:01:57
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BUK7Y12-100EX 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于各种功率转换和电源管理场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：最大0.155Ω
栅极电荷(Qg)：23nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：83W
BUK7Y12-100EX 的关键特性之一是其优异的导通性能，低Rds(on)值确保了在高电流条件下器件的功耗最小化，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有高耐压能力，能够承受高达100V的漏源电压，使其适用于多种中高功率应用。
另一个显著特点是其良好的热管理能力，TO-220封装提供了较大的散热面积，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。这不仅提高了器件的可靠性，也延长了其使用寿命。
该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗，提高系统效率。此外，BUK7Y12-100EX 在极端温度条件下仍能保持稳定的工作性能，适用于恶劣环境中的工业和汽车应用。
BUK7Y12-100EX 主要用于需要高效功率管理和转换的应用场景。例如，在工业电源、直流电机控制、电池管理系统和DC-DC转换器中，该MOSFET可以提供高效的功率控制和优异的热稳定性。
此外，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电系统、电动助力转向系统和汽车灯光控制系统。由于其高可靠性和耐温性能，BUK7Y12-100EX 也常用于汽车OBD（车载诊断系统）模块和其他车载功率管理设备。
在消费类电子产品中，BUK7Y12-100EX 可用于高性能电源适配器、LED驱动器和高功率USB电源管理模块。
IRFZ44N, FDPF12N10L, STP12NM50N
