时间：2025/12/25 21:54:08
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CY27C256-150JC 是由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies 的一部分）生产的一款 256Kbit（32K × 8）的高性能 CMOS 紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件广泛应用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。CY27C256 采用标准的 28 引脚 DIP（双列直插式封装），型号中的 '-150' 表示其最大访问时间为 150 纳秒，适用于中等速度要求的应用场景。该芯片通过紫外线照射芯片顶部的石英窗口来实现整体擦除，之后可重新编程，适合开发和测试阶段频繁修改固件的场合。CY27C256 支持 TTL 兼容电平输入和输出，工作电压为 +5V，具备低功耗待机模式，在未选通状态下可将功耗降至最低。此外，该器件内置了编程算法验证功能，确保写入数据的可靠性，并可通过编程器进行多次烧录（通常支持 1000 次以上的编程/擦除周期）。由于其成熟的技术和稳定的性能，CY27C256-150JC 在许多老旧但仍在运行的工业系统中仍被广泛使用。
类型：UV-EPROM
容量：256 Kbit (32K × 8)
供电电压：+5V ± 5%
访问时间：150 ns
封装形式：28-pin DIP
工作温度范围：0°C 至 +70°C
输入逻辑电平：TTL 兼容
输出驱动能力：15 pF 负载下最小 2.4V 高电平输出
待机电流：≤ 100 μA（典型值）
编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（取决于编程模式）
编程脉冲宽度：50 μs 典型值
擦除方式：紫外线擦除（波长 253.7 nm，能量 ≥ 15 W·sec/cm2）
CY27C256-150JC 具备多项关键特性，使其在传统 EPROM 应用中表现出色。首先，其高速访问时间为 150ns，能够在较宽的工作条件下稳定运行，满足大多数微控制器系统对程序存储响应速度的需求。该芯片采用高性能 CMOS 技术制造，显著降低了静态功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，有助于延长系统电池寿命或减少热管理负担。器件提供标准地址和数据总线接口，支持与多种处理器架构直接连接，简化了硬件设计。
其次，CY27C256 内置数据查询算法和编程确认机制，可在编程过程中自动检测每个位是否正确写入，从而提高烧录成功率并减少错误率。其封装顶部设有透明石英窗口，允许用户在不拆卸芯片的情况下使用紫外线灯进行整体内容擦除，非常适合研发、调试和小批量生产环境。此外，该芯片支持两种编程电压模式（+12.5V 和 +21V），兼容多种通用编程器设备，增强了应用灵活性。
再者，CY27C256-150JC 具有高抗干扰能力和良好的环境适应性，在电磁噪声较强的工业环境中仍能保持数据完整性。它还具备出色的长期数据保持能力，典型情况下可保存数据超过 10 年。尽管现代系统越来越多地采用 Flash 存储器替代 EPROM，但由于其无需复杂擦除电路、结构简单且可靠性高，CY27C256 依然在一些特定领域如航空电子、军事设备和老式工控机中持续服役。
CY27C256-150JC 主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，尤其是在固件更新频率不高但对稳定性要求较高的应用场景。常见用途包括工业自动化控制系统中的 PLC（可编程逻辑控制器）程序存储、通信基站的引导代码存储、测试测量仪器的配置信息保存以及早期计算机系统的 BIOS 存储。由于其支持多次擦除和重编程，该芯片也广泛用于产品开发和原型验证阶段，工程师可以反复修改程序代码并通过紫外线擦除快速迭代。
此外，该器件适用于教育实验室和电子爱好者项目，因其物理可见的擦除窗口和直观的操作流程，成为学习存储器原理和微机接口技术的理想教学工具。在一些航空航天和军事设备中，由于对元器件成熟度和长期供货稳定性有严格要求，CY27C256-150JC 仍被保留使用。尽管目前已有更先进的 NOR Flash 器件可实现电擦除，但在某些不允许现场升级或强调防误操作的场合，紫外线擦除方式反而提供了更高的安全性，防止未经授权的数据修改。因此，该芯片在特定利基市场中仍然具有不可替代的价值。
AT27C256R-15JI
M27C256B-15F6Y
MBM27C256KC-15
SST39SF040-70-4C-WHE
