时间：2025/9/14 15:44:40
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BUK7Y113-100EX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计，广泛用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。BUK7Y113-100EX 采用符合AEC-Q101标准的封装，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Ptot）：200W
BUK7Y113-100EX MOSFET具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为4.2毫欧姆，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力（110A）和100V的漏源电压使其适用于高功率应用。此外，该器件具有优异的热稳定性，采用TO-263封装技术，具备良好的散热性能，能够在高温工况下保持稳定工作。
该MOSFET还具备高抗雪崩能力，确保在高能脉冲环境下仍能保持可靠性。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路，增强了设计的灵活性。同时，其符合AEC-Q101标准，特别适合汽车电子系统中的关键应用，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器、DC-DC转换器等。
BUK7Y113-100EX 广泛应用于多个高功率和高可靠性要求的领域。在汽车电子中，该器件常用于电动助力转向（EPS）、车载充电系统、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）。其高电流能力和低导通电阻使其在新能源汽车的功率管理系统中表现出色。
STP110N10F7, IPP110N10S4-03, BSC110N10NS5AG
