时间：2025/9/14 16:02:42
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BUK7Y102-100B,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高效率的电源管理应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
功耗（Ptot）：320W
导通电阻（Rds(on)）：最大值为9.2mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
引脚数：3
极性：N沟道
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7Y102-100B,115 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力（100A）使其适用于大功率负载，如电机控制和DC-DC转换器。此外，该MOSFET具有良好的热性能，封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下稳定运行。其高栅极电压容限（±20V）提供了更强的抗干扰能力，减少了因电压尖峰导致损坏的风险。该器件的封装（TO-220AB）适用于标准的通孔安装工艺，便于在多种电路板设计中集成。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境条件下可靠工作，如汽车电子、工业自动化和电源管理系统等应用。总的来说，BUK7Y102-100B,115 在性能、可靠性和热管理方面均表现出色，是高功率应用的理想选择。
另外，该器件采用NXP的TrenchMOS技术，具有更小的芯片尺寸和更高的集成度，从而实现更高的性能密度。其快速开关特性也减少了开关损耗，提高了整体系统的能效。这些特点使得BUK7Y102-100B,115在高要求的工业和汽车应用中具有广泛的适用性。
BUK7Y102-100B,115 广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、电源管理模块、工业自动化设备、汽车电子系统（如电动助力转向、电动刹车系统）以及高功率LED照明系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换和控制的理想选择。
STP100N10F1AG STP100N10F1 STP100N10F1A STP100N10F1AG STP100N10F1A STP100NF10 MOSFET-100V-100A-TO220
