时间：2025/5/8 14:33:55
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BUK7S1R0-40H/C5J 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，适合用于需要高效能开关的电源管理应用中。
这款MOSFET的主要特点是其优化的栅极电荷设计和低反向恢复电荷特性，可显著减少开关损耗并提高系统效率。它通常被应用于服务器、电信设备及工业自动化等领域的电源转换电路中。
最大漏源电压：40V
连续漏电流：180A
导通电阻：0.62mΩ
栅极电荷：96nC
总电容：1300pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
BUK7S1R0-40H/C5J 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，仅为0.62mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 高额定电流能力，连续漏电流可达180A，适用于大功率应用场景。
3. 采用了先进的制造工艺，确保了器件在高温下的稳定性和可靠性。
4. TOLL封装形式，提供卓越的散热性能和电气连接性。
5. 快速开关速度，得益于低栅极电荷和优化的内部结构设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料使用。
这些特性共同保证了此款MOSFET在各类开关模式电源（SMPS）、直流电机驱动以及负载切换应用中的出色表现。
BUK7S1R0-40H/C5J 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、充电器和逆变器。
2. 工业用电机控制和驱动电路。
3. 通信基础设施中的负载切换和保护。
4. 大功率LED驱动器。
5. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）。
6. 数据中心和服务器的电源管理模块。
由于其高性能和高可靠性，这款MOSFET成为许多现代电子系统的关键组件之一。
BUK7S0R6-40H/C5J, BUK7S0R9-40H/C5J
