时间：2025/9/14 5:03:43
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BUK7S0R5-40HJ是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的Trench MOS技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），同时具备良好的热稳定性和高可靠性。该MOSFET属于N沟道增强型晶体管，额定电压为40V，适用于需要高电流和低损耗的电源管理场景。
类型：N沟道
漏极-源极电压(Vds)：40V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：0.5mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：Power-SO
安装类型：表面贴装（SMD）
BUK7S0R5-40HJ的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。由于采用了先进的Trench MOSFET技术，该器件具备出色的热性能和电流处理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了其在不同应用中的兼容性和灵活性。器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在极端工作条件下的可靠性。该器件采用Power-SO封装，具有较小的封装体积，同时具备良好的散热性能，适用于空间受限的高密度设计。
BUK7S0R5-40HJ还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源系统中的理想选择，例如服务器电源、工业电源、电池管理系统和电机控制电路。恩智浦为其提供了详尽的热管理和电气性能数据，有助于工程师进行系统优化。
该MOSFET广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化控制系统。由于其出色的导通性能和热稳定性，它特别适用于需要高效能和高可靠性的服务器电源、电信设备电源以及电动汽车相关应用中的功率控制模块。
IPB013N04LC G,NDS351AN,PSMN0R7-25YLC,FDMS7680
