时间：2025/9/14 9:50:13
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BUK7M6R0-40H是一款由NXP Semiconductors制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的Trench技术，提供卓越的导通性能和热稳定性，适用于高功率和高效率的开关应用。这款MOSFET的额定电压为40V，最大漏极电流可达120A，非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：6mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220
BUK7M6R0-40H具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其先进的Trench结构优化了电流处理能力和热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该器件具有快速开关能力，减少了开关损耗，并提高了响应速度，适用于高频开关应用。此外，BUK7M6R0-40H具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供可靠的保护。
该MOSFET采用TO-220封装，便于安装在散热器上，有助于提高热管理效率。其高栅极阈值电压增强了抗干扰能力，降低了误触发的风险。
此外，BUK7M6R0-40H具有较高的耐用性和稳定性，适用于严苛的工业环境。其高电流能力和优异的热稳定性使其成为高功率密度设计的理想选择。
BUK7M6R0-40H广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源供应器、负载开关和工业自动化设备。其高效率和高可靠性的特点使其特别适合需要高性能功率开关的场合。
BUK7K6R0-40H, BUK7M136-40H, BUK7M9R0-40H
