时间：2025/9/14 16:43:19
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BUK7M22-80EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。它广泛应用于电源转换系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：40A（在Tc=25℃时）
最大功耗(Pd)：120W
导通电阻(Rds(on))：典型值为7.5mΩ（当Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-220AB
BUK7M22-80EX MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，使其在高电流和高电压应用中表现出色。该器件的导通电阻非常低，典型值仅为7.5mΩ，这意味着它在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
此外，BUK7M22-80EX具有出色的开关性能，能够在高频条件下工作，适用于DC-DC转换器、同步整流器和其他高频率功率转换应用。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度。
其最大连续漏极电流为40A，在Tc=25℃时表现出色，并且能够在高温环境下稳定运行，最高工作温度可达175℃，使其适用于严苛的工作环境。
器件的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上以提高热管理效率。该封装形式也广泛用于工业和汽车电子应用中，确保了良好的可靠性和耐用性。
此外，BUK7M22-80EX的栅源电压范围为±20V，使其在各种控制电路中都能安全运行，避免因栅极过电压而导致的损坏。
BUK7M22-80EX MOSFET主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和电源管理系统。在工业自动化和控制系统中，该器件可作为高效的功率开关，用于控制电机、继电器和其他高功率负载。
在电池管理系统中，BUK7M22-80EX可用于电池充放电控制和负载开关管理，提供快速响应和高效能转换。同时，其优异的热管理和高工作温度适应性使其在高环境温度条件下也能稳定运行，适用于户外设备和工业控制箱等应用。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源系统、LED照明控制、车载充电器和电池管理系统等。其高可靠性和宽温度范围确保了其在复杂电磁环境和极端温度条件下的稳定性能。
IRF1404, BSC090N08NS5, FDS8873, SiR844DP
