BUK7K6R2-40E是一款由安森美(onsemi)推出的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于电源管理、电机驱动以及工业控制等应用领域。
BUK7K6R2-40E采用了TO-252 (DPAK) 封装形式,这种封装有助于改善散热性能并减少寄生电感的影响。其额定电压为40V,能够满足大多数低压应用场景的需求。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):1.6mΩ
栅极电荷:29nC
开关时间:t_on=17ns, t_off=25ns
工作结温范围:-55°C to +175°C
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量承受能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
5. 良好的热稳定性和电气性能,确保长时间可靠运行。
6. 支持表面贴装工艺,便于自动化生产和焊接。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电池管理系统中的充放电路径管理组件。
IRFZ44N, FDP5570, BUK7Y1R0-40E