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BUK7K32-100E 发布时间 时间:2025/5/22 1:23:00 查看 阅读:8

BUK7K32-100E 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,由安森美(ON Semiconductor)公司生产。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。其主要应用领域包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该器件额定电压为 100V,能够在高频条件下高效工作,同时支持表面贴装封装(DPAK 封装),便于自动化生产和散热设计。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:38A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  输入电容:1680pF(典型值)
  反向传输电容:190pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

BUK7K32-100E 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 较高的雪崩耐量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 热增强型 DPAK 封装,有助于改善散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 支持宽范围的工作温度,适应恶劣环境下的应用需求。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 各种负载开关及保护电路。
  5. 工业控制和汽车电子中的大电流开关应用。

替代型号

IRFZ44N, STP36NF10L

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