时间：2025/9/14 21:54:24
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BUK7K18-40EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统以及各种需要高效功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：18A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：18nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-220AB
BUK7K18-40EX 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗，提高系统效率；具有较高的连续漏极电流能力，适用于高功率应用；其Trench技术提供了良好的热稳定性和较高的功率密度。此外，该器件具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频操作环境。内置的栅极保护二极管增强了器件的可靠性，使其在极端工作条件下也能保持稳定性能。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在高压瞬态条件下提供额外的安全保障。其TO-220封装有助于快速散热，确保长时间运行的稳定性，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车应用。
BUK7K18-40EX 适用于多种功率电子系统，包括直流电机驱动器、电池管理系统、工业自动化控制、LED照明调光系统、DC-DC转换器、电源管理系统以及汽车电子控制系统等。由于其优异的热性能和高可靠性，也常用于车载应用如电动助力转向系统（EPS）、起停系统以及车载充电器等场景。
IPD18N40C3, IRLU8726PbF, FDPF18N40
