STRW6765N 时间：2025/12/26 22:53:48 阅读：23

STRW6765N是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高集成度离线式开关电源（SMPS）控制芯片，专为低功耗到中等功率的AC-DC转换应用设计。该器件集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器和功率MOSFET于单一封装中，适用于成本敏感且要求高效率、小体积的电源系统。STRW6765N广泛用于家电、工业控制、智能电表、充电器以及待机电源等场合。其设计符合国际能效标准，如Energy Star和Blue Angel，有助于实现绿色能源目标。该芯片采用多模式操作策略，在不同负载条件下自动切换工作模式，以优化效率并降低待机功耗。此外，它具备完善的保护功能，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）和前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB），确保系统在各种异常情况下安全可靠运行。STRW6765N支持宽范围输入电压（通常85VAC至265VAC），适用于全球通用输入的应用场景。

参数

型号：STRW6765N
　　制造商：STMicroelectronics
　　封装类型：DIP-7 或类似通孔封装
　　集成MOSFET耐压：650V
　　最大输出功率：典型15W～30W（取决于设计）
　　启动电流：<10μA
　　工作电流：典型3.5mA（无负载）
　　开关频率：固定约65kHz（可微调）
　　反馈控制方式：电流模式PWM
　　供电电压范围（VCC）：9V～21V
　　内置启动电路：支持高压直接启动
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、开环保护
　　工作温度范围：-20°C 至 +105°C
　　引脚数：7
　　符合安规标准：IEC/EN 60335-1（家用电器安全）

特性

STRW6765N的核心优势在于其高度集成化设计，将高压启动电路与650V功率MOSFET集成在同一芯片上，显著减少了外部元件数量，简化了电源设计流程，并提高了系统的可靠性。该芯片采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的线路抑制能力，能够有效应对输入电压波动和负载突变。其多模式运行机制可在满载时进入连续导通模式（CCM），在轻载或空载时自动切换至突发模式（Burst Mode）或跳周期模式，大幅降低开关损耗和待机功耗，从而满足严格的能效法规要求。
　　为了提升系统安全性，STRW6765N内置了多种保护机制。例如，过温保护（OTP）通过内部温度传感器监测芯片结温，当温度超过设定阈值时自动关闭输出，防止热损坏；过压保护（OVP）可检测反馈回路故障导致的输出电压异常升高，并立即切断MOSFET驱动信号；过流保护（OCP）则通过对电流检测电阻的采样实现逐周期限流控制，避免因短路或过载造成器件损坏。此外，前沿消隐技术有效抑制了MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰干扰，防止误触发保护电路，提高系统稳定性。
　　该芯片还具备良好的电磁兼容性（EMC）性能，通过优化驱动波形和开关节点噪声管理，有助于降低传导和辐射干扰，减少对外部滤波元件的需求。其引脚配置经过精心设计，便于PCB布局布线，尤其适合紧凑型电源适配器和嵌入式电源模块。由于无需光耦即可实现稳定闭环控制（依赖于初级侧调节技术），STRW6765N特别适用于隔离式反激变换器拓扑结构，进一步降低了物料成本和装配复杂度。

应用

STRW6765N主要应用于需要高效、小型化且低成本AC-DC电源解决方案的电子设备中。常见用途包括家用电器中的辅助电源或主电源模块，如洗衣机、冰箱、空调等智能控制板供电；工业自动化领域的PLC、传感器接口电源、继电器驱动电源等；智能电表和楼宇控制系统中的隔离电源单元；低功率充电器，如路由器、摄像头、IoT设备的直流电源适配器；以及消费类电子产品中的待机电源和辅助电源轨。由于其具备良好的动态响应能力和稳定的输出特性，也适用于对电源质量有一定要求的小型医疗设备或测试仪器。此外，STRW6765N支持宽输入电压范围，使其能够在不同国家和地区的电网环境下稳定运行，非常适合出口型产品使用。其高集成度和免光耦设计不仅降低了整体BOM成本，还提升了长期工作的可靠性，因此在注重性价比和耐用性的应用场景中具有明显优势。