时间：2025/9/14 20:12:21
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BUK7K134-100E 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率和高可靠性要求的应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和高击穿电压（100V）特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A
漏源极电压（VDS）：100V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（典型值）
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7K134-100E 具备极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其100V的漏源极电压能力使得该器件适用于多种中高压应用场景。
此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热性能，从而确保在高负载条件下依然稳定运行。
该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在过载和短路条件下的可靠性。
栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适用于多种驱动器IC搭配使用。
该MOSFET的高可靠性设计和优异的热稳定性，使其在工业自动化、汽车电子和电源系统中具有广泛的应用前景。
BUK7K134-100E 主要用于需要高效率和大电流处理能力的电源应用中。典型应用包括同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中的高侧或低侧开关。
此外，该器件也适用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、电动刹车系统和车载充电器等。
由于其优异的导通特性和封装设计，BUK7K134-100E 还适用于高功率LED照明、服务器电源供应器以及电信基础设施设备中的电源管理模块。
IRF1404, BSC090N10NS5, BUK7K264-100E
