时间：2025/9/14 21:40:08
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BUK7J1R0-40HX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于高效率和高性能的电源系统。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：1mΩ（最大值，典型值0.85mΩ）
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK7J1R0-40HX的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供卓越的性能和可靠性。
此外，该MOSFET具有高电流能力和良好的热管理性能，能够在高负载条件下稳定运行。其TO-263封装形式不仅便于安装和散热，还能有效减少PCB上的空间占用。
该器件的栅极驱动要求较低，支持快速开关操作，从而减少开关损耗。同时，其高雪崩能量耐受能力确保了在突发过压情况下的稳定性和耐用性。
BUK7J1R0-40HX还具备出色的短路耐受能力，适合在需要高可靠性的应用中使用，例如工业电源、DC-DC转换器和电机控制电路。
BUK7J1R0-40HX适用于多种高功率和高效率的电子系统，包括但不限于：电源供应器（如开关电源）、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、工业自动化设备以及新能源应用如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
由于其优异的导通性能和高可靠性，该MOSFET特别适合需要高效能和高稳定性的电源管理应用。
IPB015N04LC G；SQJQ124EP ；FDMS86180
