K2898-01 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率开关领域。该器件设计用于高效能和高可靠性的应用场合,能够处理较高的电压和电流。K2898-01 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,适合用于工业控制、电源转换器、DC-DC 转换器、电池管理系统等应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds):600V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):8A
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
K2898-01 MOSFET 具有多个关键特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其漏极-源极电压(Vds)高达 600V,使其适用于高电压开关应用,例如电源供应器和逆变器系统。其次,该器件的连续漏极电流为 8A,能够支持中高功率负载的控制。此外,其±30V 的栅极-源极电压允许在较宽的控制电压范围内工作,提高了设计的灵活性。
该器件的 TO-220 封装形式不仅便于安装和散热,还增强了其在恶劣环境下的稳定性。K2898-01 的导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高整体效率。同时,其快速开关特性使其适用于高频开关电路,如 PWM 控制的 DC-DC 转换器和电机控制应用。
此外,K2898-01 具有较高的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,确保在极端温度条件下仍能可靠工作。这些特性使得 K2898-01 成为工业自动化、电力电子设备以及家用电器中电源管理的理想选择。
K2898-01 MOSFET 被广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高效功率控制的场合。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外,由于其高耐压和良好的散热性能,该器件也常用于照明系统、电源适配器和不间断电源(UPS)等高可靠性要求的应用场景。
IRF840, 2SK2647, 2SK2896, FQA8N60C