BUK7J1R0-40H 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 PDFN3232-10 封装形式。该器件专为高效率开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理场景。
这款 MOSFET 由安森美(onsemi)生产,适合在汽车电子、工业控制、通信设备等领域使用。
最大漏源电压:40V
最大连续漏极电流:6.9A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻:1.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗:2.4W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PDFN3232-10
BUK7J1R0-40H 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频应用。
3. 小型 PDFN3232-10 封装,节省 PCB 空间。
4. 高雪崩耐量能力,增强可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用。
6. 支持高电流密度,减少外部散热需求。
7. 具备出色的热稳定性和电气稳定性。
BUK7J1R0-40H 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 汽车电子中的负载开关。
5. 工业电机驱动和控制。
6. 通信设备中的电源管理模块。
7. LED 驱动器和其他高效能转换电路。
BSC012N04LS G, IRFZ44N, FDP5800