时间：2025/9/14 5:50:41
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BUK7E3R5-60E 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的应用而设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于汽车电子、工业电源、电动工具、电池管理系统等需要高可靠性和高性能的场景。BUK7E3R5-60E 采用高性能的封装技术，能够在高温环境下稳定运行，并具备良好的热管理和抗过载能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：Power-SO8（8引脚）
BUK7E3R5-60E 具有以下几个显著的技术特性：
首先，该MOSFET的低导通电阻 RDS(on) 仅为3.5mΩ，使其在导通状态下具有极低的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。这一特性对于需要高效率的电源转换系统（如DC-DC转换器、同步整流器等）尤为重要。
其次，该器件的最大漏极电流可达150A，支持大电流负载应用，适用于电动工具、汽车启动系统和高功率电池管理等场景。同时，其漏源电压额定值为60V，可满足中高压应用的需求。
此外，BUK7E3R5-60E 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了器件的开关性能和热稳定性。其栅极电压范围为±20V，具有较强的抗静电和过压能力，增强了器件在复杂工作环境中的可靠性。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适合汽车电子、工业控制等高温应用环境。其采用的Power-SO8封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具备良好的散热性能，有助于提高系统的长期稳定性。
总的来说，BUK7E3R5-60E 凭借其低导通电阻、高电流能力、优良的热管理性能和宽温度范围，成为高功率密度和高可靠性应用的理想选择。
BUK7E3R5-60E 广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在汽车电子领域，该MOSFET可用于电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及车载充电器等关键部件，其高电流能力和优异的热管理性能确保在高温和高负载条件下稳定运行。
在工业电源和电机控制方面，BUK7E3R5-60E 常用于开关电源（SMPS）、逆变器、伺服电机驱动器以及工业自动化控制系统中，其低导通电阻有助于提升能效，降低系统发热。
此外，该器件也适用于电动工具、无人机、储能系统和太阳能逆变器等需要高功率密度和高可靠性的应用。由于其封装紧凑，也适合空间受限的设计场景。
值得一提的是，BUK7E3R5-60E 的高抗静电和过压能力，使其在复杂电磁环境中仍能保持良好的工作稳定性，适用于需要长期运行的工业设备和汽车系统。
SiZ880DT, IPB013N06N3, BSC035N06NS5
