时间：2025/9/14 9:31:24
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BUK7E3R1-40E,127 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和负载开关应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。其采用先进的 TrenchMOS 技术，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）@25°C：180A
导通电阻 RDS(on)：3.1mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
功率耗散（Ptot）：200W
BUK7E3R1-40E,127 的核心优势在于其极低的导通电阻，仅为 3.1mΩ，在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，使其适用于高频开关应用。
此外，其最大漏源电压为 40V，支持高达 180A 的漏极电流，具备出色的电流承载能力，适用于大功率负载切换和电源管理场景。其 ±20V 的栅极电压耐受能力提高了器件在复杂电路环境下的可靠性。
该MOSFET采用 TO-220AB 封装，具有良好的热管理性能，适合在高温环境下运行。封装形式便于安装和散热片连接，提高了系统的稳定性和散热效率。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在突发高能冲击下保持稳定运行，适用于汽车电子、工业控制、电源供应器和电机驱动等要求严苛的应用场景。
BUK7E3R1-40E,127 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中。例如，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及高功率 LED 驱动电路。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）和车载充电器等模块。其高电流能力和优异的热性能使其在这些高要求环境中表现出色。
此外，该器件也适用于工业自动化控制、服务器电源、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等应用，能够在高频率和高负载条件下保持稳定运行。
由于其低导通电阻和快速开关特性，BUK7E3R1-40E,127 还适合用于同步整流拓扑结构中，有助于提高转换效率并降低系统功耗。
IPW90R03PFI, INFET, STP150N4F3LL-1, IRF1404ZPBF
