类型：双极型晶体管阵列
　　封装类型：DIP
　　晶体管数量：4
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：500mA
　　功耗（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

S2041B的核心优势在于其集成多个晶体管单元的设计，使得用户在设计电路时可以减少外围元件的数量，从而提高系统的稳定性和简化布局。每个晶体管都具有独立的基极、集电极和发射极引脚，允许灵活配置为NPN或PNP型使用方式，增强了其适用范围。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高温环境下依然能够保持稳定的工作状态。S2041B还具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低功耗并提高效率。其封装形式为标准DIP封装，适合使用在通孔插装的电路板上，便于焊接和维护。
　　该器件的电气性能稳定，适用于中等功率的开关应用。每个晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为500mA，能够满足多数工业控制场合的需求。此外，S2041B还具有良好的互换性，多个晶体管之间的电气特性保持高度一致性，便于在多路并行控制中使用。

S2041B广泛应用于工业自动化控制系统中，例如用于驱动继电器、小型电机、LED显示屏、电磁阀等负载。其多晶体管集成特性使其非常适合用作数字电路中的缓冲器或驱动器，尤其是在需要多路并行控制的场合。此外，S2041B也常用于嵌入式系统、机器人控制、测试设备及电源管理系统中。由于其封装形式为DIP，因此也非常适合用于原型开发和实验教学等场景。

ULN2003A, S2041C, ULN2004A