时间：2025/9/14 6:21:00
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BUK7E2R6-60E 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具备低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于多种高功率应用场景。BUK7E2R6-60E 采用 D2PAK（TO-263）封装，具有良好的散热能力，适合在高温环境下工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
BUK7E2R6-60E MOSFET 采用了先进的 TrenchFET 工艺技术，这使得它在保持小型化的同时，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）特性，使得该器件在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗。
此外，该器件的热稳定性极佳，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。D2PAK 封装具有优良的热管理能力，使得 BUK7E2R6-60E 在高电流和高温条件下仍能保持良好的散热性能，延长器件寿命。
这款 MOSFET 还具备较高的短路耐受能力，增强了在电机驱动、电源转换器等高应力应用中的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种控制电路兼容，提高了设计的灵活性。
BUK7E2R6-60E 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理和负载开关等。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及新能源汽车的电池管理系统；在工业自动化设备中，可用于高性能电机驱动器和伺服控制系统；在消费类电子产品中，也常见于高功率电源适配器和快速充电设备中。
由于其出色的导通和开关性能，BUK7E2R6-60E 还适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统。
[
"BUK7K2R6-60H",
"IRF1405",
"SiS4410DY",
"STP150N6F6"
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