时间：2025/9/14 4:14:47
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PBSS4350D,135 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件适用于需要高效率和高性能的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。其封装形式为DFN2020BD-8（SOT1223），尺寸紧凑，适合空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.8A
导通电阻（RDS(on)）：@4.5V=52mΩ，@2.5V=68mΩ
功率耗散（Ptot）：1.3W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：DFN2020BD-8 (SOT1223)
PBSS4350D,135 MOSFET采用了先进的Trench技术，提供了非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
在4.5V的栅极驱动电压下，其典型RDS(on)为52mΩ，在2.5V驱动电压下也仅为68mΩ，使其适用于低电压驱动电路，如由微控制器直接控制的应用。
该器件支持高达5.8A的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力，适合高功率密度设计。
其封装形式DFN2020BD-8（SOT1223）具有良好的热性能和空间利用率，适合在PCB布局中节省空间。
此外，PBSS4350D,135具有高雪崩能量能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。
该MOSFET符合RoHS标准，无卤素，符合现代电子产品的环保要求。
PBSS4350D,135 主要应用于以下领域：
在DC-DC转换器中用作高边或低边开关，实现高效的电压转换。
作为负载开关用于控制电源分配，如在电池供电设备中管理不同子系统的供电。
在电机驱动和继电器替代应用中，提供高效的开关控制。
在LED照明系统中用于调光或开关控制。
还可用于USB电源管理、智能电表、工业自动化和便携式消费电子产品中。
由于其低导通电阻和小封装尺寸，特别适合空间受限且对效率有要求的应用场景。
SiSS435DN-T1-GE3, FDMS3618, BSS138K, PMV48XP
