类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：55 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　漏极电流（ID）@25°C：120 A
　　漏极脉冲电流（IDM）：480 A
　　导通电阻RDS(on) @VGS=10V：典型值3.5 mΩ，最大值4.5 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @VGS=4.5V：典型值4.8 mΩ，最大值6.0 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：约9000 pF
　　输出电容（Coss）：约2800 pF
　　反向恢复时间（trr）：约35 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：LFPAK/Power-SO8

BUK7735-55A的核心优势在于其采用了NXP先进的TrenchMOS沟槽型场效应晶体管技术，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而实现超低RDS(on)特性。在VGS=10V时，其典型导通电阻仅为3.5mΩ，这使得器件在大电流工作条件下仍能保持较低的传导损耗，提升系统整体能效。此外，即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)仍可维持在6mΩ以下，表现出良好的低压驱动能力，兼容现代低电压逻辑控制器（如DSP、MCU或专用驱动IC）。
　　该器件具有出色的热稳定性与电流处理能力，最大连续漏极电流高达120A，短时脉冲电流可达480A，适用于瞬态负载较大的应用场景，例如电机启动、电池充放电控制或热插拔电源模块。其LFPAK封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效降低热阻，提高散热效率，确保在高温环境下长期稳定运行。
　　BUK7735-55A具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，能够承受一定的过压和过流冲击，增强了系统的可靠性。同时，其寄生参数优化良好，输入电容约为9000pF，输出电容约2800pF，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。体二极管的反向恢复时间较短（约35ns），降低了在同步整流或感性负载切换时的反向恢复损耗，减少EMI干扰。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于严苛的车载环境，如电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）或DC-DC变换器等。
　　总体而言，BUK7735-55A凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优异的热性能和可靠的封装设计，在中压大电流开关应用中表现出色，是替代传统TO-220或D2PAK封装MOSFET的理想选择。

BUK7735-55A广泛应用于多种高效率功率转换与控制领域。在电源系统中，常用于同步整流式DC-DC降压变换器、多相电压调节模块（VRM）以及服务器和通信设备的中间母线转换器，利用其低RDS(on)特性降低导通损耗，提升能效。在电机驱动方面，可用于直流无刷电机（BLDC）控制器、电动工具、无人机电调以及工业自动化设备中的H桥驱动电路，提供快速开关响应和高耐流能力。
　　在汽车电子领域，BUK7735-55A被用于车载电源系统、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动、电动座椅与车窗升降控制、电池管理系统（BMS）中的充放电开关等。其AEC-Q101认证和宽工作温度范围使其适应车辆在极端气候条件下的运行需求。此外，在热插拔控制器、冗余电源切换、UPS不间断电源和工业电源模块中，该器件也作为主开关元件使用，保障系统在带电插拔或故障切换时的安全性和稳定性。
　　消费类电子产品如高端游戏主机、笔记本电脑电源管理单元、大功率USB-PD充电器等也开始采用此类高性能LFPAK封装MOSFET以实现小型化与高效化设计。其表面贴装特性便于自动化生产，提升制造效率并降低整体成本。

IPB036N05L MOSFET N-CH 55V 120A LFPAK33
　　PSMN037R05T1 N-CHANNEL 55V 120A 3.7MW SOT669
　　IRLR7843PBF MOSFET N-CH 30V 128A D2PAK
　　FDMC86132S N-CHANNEL 55V 110A SO8FL