时间：2025/9/14 7:31:07
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BUK768R1-40E,118 是由 Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchMOS 技术制造。该器件以其低导通电阻、高效率和良好的热性能而著称，适用于多种电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：30A
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.1mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：110W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
BUK768R1-40E,118 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其先进的 TrenchMOS 技术确保了器件在高频率开关操作中的稳定性和可靠性。该 MOSFET采用了坚固的封装设计，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。此外，其高耐压能力和宽泛的工作温度范围，使其适用于各种苛刻的工作条件。该器件还具有良好的短路耐受能力和热稳定性，确保在突发情况下不会轻易损坏。其栅极驱动特性优化，使得开关速度更快，进一步提升了整体性能。
此外，BUK768R1-40E,118 还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的保护。其封装设计与标准 TO-220 引脚兼容，便于在各种电路设计中集成。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用场合。
BUK768R1-40E,118 广泛应用于各种功率电子设备中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备等。由于其优异的导通特性和热性能，该 MOSFET也常用于高效率电源适配器、电动工具、电动车辆以及太阳能逆变器等高功率应用场景。此外，在需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统中，例如车载充电器和电机控制模块，该器件也表现出色。
BUK768R1-40E
