时间：2025/9/14 13:13:54
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BUK766R0-60E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合在高效率和高功率密度的应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：250A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.95mΩ
功率耗散（Ptot）：320W
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK766R0-60E,118 具备一系列优异的电气和热性能，能够满足高功率应用的需求。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 0.95mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高电流能力（250A）使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度的设计。
其次，该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高装配效率。
再者，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 驱动电压，适用于常见的 MOSFET 驱动电路，确保快速开关和稳定运行。
最后，BUK766R0-60E,118 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在严苛的工作环境下保持稳定性和可靠性，适用于工业、汽车和电源管理系统等应用领域。
BUK766R0-60E,118 主要应用于需要高效率和高功率处理能力的电子系统中。
在电源管理领域，该器件广泛用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中，其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源转换效率。
在电机控制和工业自动化中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路、电机驱动器以及高功率开关应用，确保快速响应和稳定运行。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS），其高可靠性和宽工作温度范围可满足汽车环境的严苛要求。
由于其优异的热性能和封装形式，BUK766R0-60E,118 也适用于需要高功率密度和紧凑设计的模块化电源系统，如服务器电源、电信设备电源和可再生能源逆变器。
IRF1405, STP250N3LL, IPW60R095C7
