时间：2025/9/14 17:23:56
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BUK7660-100A,118 是由 Nexperia（原 Philips Semiconductors）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高整体效率。其最大漏极电流可达 140A，漏源击穿电压为 100V，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A（在 Tc=25°C）
Rds(on)：约 3.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
BUK7660-100A,118 具备多项优异特性，使其在功率 MOSFET 领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高能效，适用于高频率开关应用。其次，该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench MOS 技术，确保了在高电流条件下仍能保持稳定的性能。
此外，BUK7660-100A,118 具备较高的热稳定性，能够在高功率密度环境下运行，适应工业和汽车应用中的严苛条件。其 TO-220AB 封装提供了良好的散热性能，同时便于安装在标准散热片上。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量承受能力，增强了在高电压瞬态情况下的可靠性。栅极驱动特性优化，可与标准驱动电路兼容，降低驱动损耗并提升整体系统效率。此外，其高抗短路能力确保在异常工作条件下仍具有较高的稳定性。
BUK7660-100A,118 适用于多种高功率和高效率要求的应用场景，包括 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统、电源管理模块、工业自动化设备以及汽车电子系统。在汽车应用中，常用于电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统等关键模块。此外，其优异的导通性能也使其适用于服务器电源、UPS 系统以及高功率 LED 照明控制电路。
IRF1405, IPW90R150P7, BSC080N08LS
