时间：2025/9/14 16:39:22
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BUK764R0-55B,118 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用设计，适用于汽车电子、工业电源和 DC-DC 转换器等领域。该 MOSFET 采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的热稳定性和良好的开关性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：55 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：150 A
导通电阻 RDS(on)：1.2 mΩ @ VGS = 10 V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
安装方式：通孔安装
功率耗散（PD）：300 W
BUK764R0-55B,118 具有多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。
首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，仅为 1.2 mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高电流应用中，这种低 RDS(on) 特性尤为关键。
其次，该器件采用了先进的 Trench 工艺，提供了优异的开关性能，包括快速的开关速度和较低的开关损耗。这使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于实现更高的功率密度。
此外，BUK764R0-55B,118 具有良好的热稳定性和较高的最大工作温度（175°C），确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。其高功率耗散能力（300W）也使其能够承受较大的负载。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在电压瞬态条件下的可靠性，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
最后，TO-220AB 封装形式提供了良好的散热性能，并且易于安装，适用于多种 PCB 设计。
BUK764R0-55B,118 主要应用于高功率密度和高效率要求的电源系统中。常见应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通和开关性能，该 MOSFET 在高频电源转换器中表现出色，可有效提高系统效率并降低发热。此外，其高可靠性和耐高温能力也使其适用于恶劣工作环境下的电源管理系统。
IPB015N06N3 G, STP150N55F3AG, IRF150N55D
