时间：2025/4/28 16:45:12
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BUK763R1-60E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PowerTrench技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于高效能的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。该芯片封装为TO-263（DPAK），能够提供出色的散热性能和高电流处理能力。
该器件的主要特点是其优化的栅极电荷和较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。此外，它还具有较高的雪崩耐量，能够在过载条件下提供更好的保护。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻：3.5mΩ
栅源电压：±20V
栅极电荷：12nC
总电容：1020pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
BUK763R1-60E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，典型值为3.5mΩ，可有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能，栅极电荷仅为12nC，有助于减少开关损耗。
3. 较高的漏极电流承载能力，最高可达42A，适用于大电流应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在各种环境下的可靠性。
5. 内置反向恢复二极管，具备较低的反向恢复电荷，适合同步整流应用。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
7. 雪崩耐量经过优化，能够在短路或过载情况下提供更高的耐用性。
BUK763R1-60E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 多相VRM（电压调节模块）设计中的功率MOSFET。
6. 汽车电子系统的功率管理模块。
7. 工业自动化设备中的功率切换元件。
IRLB8749PBF, FDP5800, BUK7Y3R8-60E
