时间：2025/9/13 21:15:32
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BUK762R4-60E118 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET采用了先进的工艺技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优秀的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：220A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK762R4-60E118 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)典型值为1.4mΩ，在VGS为10V时可实现更低的压降。
此外，该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达220A，适用于高功率密度应用。MOSFET还具备良好的热稳定性，TO-263封装有助于有效的热量管理，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。
该器件的最大漏-源电压为60V，适用于多种电源应用，包括DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。其栅极驱动电压范围宽，最大栅-源电压为±20V，使其兼容多种驱动电路。
工作温度范围从-55°C到+175°C，使得BUK762R4-60E118能够在极端环境条件下可靠运行，例如汽车电子系统或工业控制系统中。其高热稳定性也确保了在高温下的长期使用寿命。
BUK762R4-60E118 主要应用于高功率电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高效率和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换和控制的理想选择。
IRF1405, BSC010N04LS, BUK7K2R4-60E118
